臺式高性能CVD石墨烯/碳納米管快速制備系列-Nano CVD

產(chǎn)品簡介：

    臺式高性能CVD石墨烯/碳納米管快速制備系列-Nano CVD是為制備高質(zhì)量的石墨烯與碳納米管而開發(fā)的高性能臺式CVD系統(tǒng)。在與諾獎科研團(tuán)隊的長期合作中獲得的豐富經(jīng)驗使該系列產(chǎn)品具有非常高的性能。別是針對石墨烯、碳納米管等不同的應(yīng)用進(jìn)行了針對性的化。該系列產(chǎn)品操作簡便，生長條件控制準(zhǔn)確，生長迅速、制備出的樣品具有高質(zhì)量、高可重復(fù)性，這些點(diǎn)使得該系列產(chǎn)品受到多個石墨烯研究團(tuán)隊的贊譽(yù)。該系列產(chǎn)品適合于想要制備高質(zhì)量石墨烯或碳納米管用于前沿學(xué)術(shù)研究的團(tuán)隊。例如，?？巳髮W(xué)、哈德斯菲爾德大學(xué)、萊頓大學(xué)、亞森工業(yè)大學(xué)這些的高校均是nanoCVD系列的用戶。

    nanoCVD采用全新的設(shè)計理念，可以快速、高質(zhì)量地生產(chǎn)石墨烯或碳納米管。與傳統(tǒng)的簡易CVD(管式爐)相比，該系統(tǒng)基于冷壁設(shè)計方案，具有以下主要點(diǎn):

◎  系統(tǒng)可以快速的升溫和降溫。

◎  更加準(zhǔn)確的條件控制和可靠的工藝重現(xiàn)性。

◎  安全性設(shè)計，具有尾氣稀釋模塊。

◎  智能化設(shè)計，全自動引導(dǎo)式觸屏操作系統(tǒng)。

◎  支持自動程序的設(shè)定與儲存。

◎  雄厚的技術(shù)積累，業(yè)的技術(shù)支持。

設(shè)備型號：

臺式超高質(zhì)量石墨烯快速制備CVD系統(tǒng)- nanoCVD 8G

    nanoCVD-8G系統(tǒng)是性能穩(wěn)定的快速的石墨烯生長系統(tǒng)。nanoCVD-8G具有壓強(qiáng)自動控制系統(tǒng)，可以準(zhǔn)確的控制石墨烯生長過程中的氣氛條件。系統(tǒng)采用低熱容的樣品臺可在2分鐘內(nèi)升溫至1000℃并準(zhǔn)確控溫。該裝置采用了冷壁技術(shù)，樣品生長完畢后可以快速降溫。正是因為這些條件可以讓用戶在30分鐘內(nèi)即可獲得高質(zhì)量的石墨烯。用戶通過HMI觸屏進(jìn)行操作，所有的硬件都是自動化的。更有內(nèi)置的標(biāo)準(zhǔn)石墨烯生長示例程序供用戶參考。該系統(tǒng)安裝迅速，非常適合需要持續(xù)快速獲取高質(zhì)量石墨烯用于高質(zhì)量學(xué)術(shù)研究的團(tuán)隊。?？巳髮W(xué)、哈德斯菲爾德大學(xué)、萊頓大學(xué)、亞森工業(yè)大學(xué)等很多著名的高校都是該系統(tǒng)的用戶。

部分?jǐn)?shù)據(jù)展示：

小型等離子增強(qiáng)大尺寸石墨烯制備CVD系統(tǒng) - nanoCVD WPG

    nanoCVD-WPG將nanoCVD-8G高質(zhì)量石墨烯生長的功能與等離子體增強(qiáng)技術(shù)相結(jié)合，系統(tǒng)可制備晶圓尺寸(3英寸或4英寸)別的樣品。除此之外，用該系統(tǒng)準(zhǔn)確的生長控制條件可以制備多種高質(zhì)量的2D材料，該系統(tǒng)是小型CVD系統(tǒng)性能上的個重大飛躍。全新的設(shè)計方案和控制系統(tǒng)使該系統(tǒng)成為制備大面積2D樣品的上佳選擇。

    應(yīng)用域包括:石墨烯和2D材料、光伏電、觸屏材料、高性能生物電子材料、傳感器、儲能材料。

臺式超準(zhǔn)碳納米管快速制備CVD系統(tǒng) - nanoCVD 8N

    nanoCVD-8N與石墨烯生長系統(tǒng)nanoCVD-8G有諸多共同之處，并針對碳納米管生長條件進(jìn)行了化。這些條件對于碳納米管(CNT)樣品的質(zhì)量和可重復(fù)性(主要是單壁形式)是至關(guān)重要的。創(chuàng)新的冷壁式腔體與傳統(tǒng)管式設(shè)備相比更易準(zhǔn)確控制實(shí)驗條件和快速升降溫。nanoCVD-8N具有智能的控制系統(tǒng)和完備的安全性設(shè)計。設(shè)備易于安裝，易于使用，是快速進(jìn)入高質(zhì)量研究的理想選擇。該系統(tǒng)獲得沃里克大學(xué)用戶的高度贊譽(yù)。

    碳納米管可采用Fe、Co、Ni的納米顆粒作為催化劑生長在SiO₂/Si, Si₃N₄以及石英等襯底上。

    通過襯底與催化劑的選擇，可以生長的碳納米管有：

•   隨機(jī):  隨機(jī)方向的相互交疊的單壁碳納米管

•   有序:  平行的單壁碳納米管

•   豎直:  豎直的單壁碳納米管束

部分?jǐn)?shù)據(jù)展示：

發(fā)表文章

Residual metallic contamination of transferred chemical vapor deposited graphene

Lupina, G., et al. ACS Nano 2015 DOI: 10.1021/acsnano.5b01261

本文作者研究了通常用于將CVD石墨烯放置到應(yīng)用襯底上的濕轉(zhuǎn)移工藝會導(dǎo)致材料的微量污染。這些純度會對石墨烯的其他殊性產(chǎn)生不影響，并對電子和光電應(yīng)用產(chǎn)生影響。

相關(guān)設(shè)備: nanoCVD-8G

Transparent conductive graphene textile fibers

Neves, A. I. S., et al. Scientific Reports 2015 DOI: 10.1038/srep09866

使用nanoCVD-8G制成的石墨烯被轉(zhuǎn)移到纖維上，*生產(chǎn)出柔韌的、*嵌入的紡織電。石墨烯的高質(zhì)量意味著電有超低的表面電阻和高的機(jī)械穩(wěn)定性。

相關(guān)設(shè)備: nanoCVD-8G

High quality monolayer graphene synthesized by resistive heating cold wall chemical vapor deposition

Bointon, T. H., et al. Advanced Materials 2015 DOI: 10.1002/adma.201501600

展示了冷壁法CVD合成石墨烯的勢，并報道了使用nanoCVD – 8G制備的高質(zhì)量石墨烯材料具有超高的載流子遷移率，表現(xiàn)出半整數(shù)量子霍爾效應(yīng)，這與剝離制備的樣品相當(dāng)。

相關(guān)設(shè)備: nanoCVD-8G

Mapping nanoscale electrochemistry of individual single-walled carbon nanotubes

Güell, A. G., et al. Nano Letters 2014 DOI: 10.1021/nl403752e

用nanoCVD – 8N技術(shù)制備了單壁碳納米管，并用電化學(xué)技術(shù)對其進(jìn)行了研究。高分辨率的測量可以檢查單個單壁碳納米管的性。這發(fā)現(xiàn)對未來使用SWNT電的器件設(shè)計具有重要意義。

相關(guān)設(shè)備: nanoCVD-8N

Nanoscale electrocatalysis: Visualizing oxygen reduction at pristine, kinked, and oxidized sites on individual carbon nanotubes

Byers, J. C., et al. Journal of the American Chemical Society 2014 DOI: 10.1021/ja505708y

電化學(xué)技術(shù)，結(jié)合使用nanoCVD - 8N技術(shù)產(chǎn)生的單壁碳納米管，被用來證明即使在沒有摻雜、修飾或缺陷的情況下，碳納米管也表現(xiàn)出顯著的活性。

相關(guān)設(shè)備: nanoCVD-8N

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