三維原子層沉積系統(tǒng)ALD

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

原子層沉積（Atomic layer deposition）是將氣相前驅(qū)體脈沖交替通入反應(yīng)器，化學(xué)吸附在沉積襯底上并反應(yīng)形成沉積膜的種方法，是種可以將物質(zhì)以單原子膜形式層層鍍?cè)谝r底表面的方法，因此，它是種真正的“納米"技術(shù)，以精確控制方式實(shí)現(xiàn)納米的超薄薄膜沉積。三維原子層沉積系統(tǒng)ALD用飽和化學(xué)吸附的性，可以確保對(duì)大面積、多空、管狀、粉末或其他復(fù)雜形狀基體的高保形的均勻沉積。

產(chǎn)品型號(hào)：GEMStar-4/6/8 XT

更新時(shí)間：2024-04-18

廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家

訪問(wèn)量：4124

產(chǎn)品咨詢(xún) 13021034795

產(chǎn)品分類(lèi)

PRODUCT CLASSIFICATION

材料制備/樣品合成

單晶爐薄膜、顆粒、膠體等制備爐子（燒結(jié)爐、電弧爐等）納米直寫(xiě)、光刻設(shè)備

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臺(tái)式三維原子層沉積系統(tǒng)ALD簡(jiǎn)介：

原子層沉積（Atomic layer deposition, ALD）是通過(guò)將氣相前驅(qū)體脈沖交替的通入反應(yīng)器，化學(xué)吸附在沉積襯底上并反應(yīng)形成沉積膜的種方法，是種可以將物質(zhì)以單原子膜形式逐層的鍍?cè)谝r底表面的方法。因此，它是種真正的“納米"技術(shù)，以精確控制方式實(shí)現(xiàn)納米的超薄薄膜沉積。由于ALD用的是飽和化學(xué)吸附的性，因此可以確保對(duì)大面積、多空、管狀、粉末或其他復(fù)雜形狀基體的高保形的均勻沉積。

美國(guó)ARRADIANCE公司的GEMStar XT系列臺(tái)式 ALD系統(tǒng)，在小巧的機(jī)身（78 x56 x28 cm）中集成了原子層沉積所需的所有功能，可zui多容納9片8英寸基片同時(shí)沉積。GEMStar XT全系配備熱壁，結(jié)合前驅(qū)體瓶加熱，管路加熱，橫向噴頭等設(shè)計(jì)，使溫度均勻性高達(dá)99.9%，氣流對(duì)溫度影響減少到0.03%以下。高溫度穩(wěn)定度的設(shè)計(jì)不僅實(shí)現(xiàn)在 8英寸基體上膜厚的不均勻性小于1%，而且更適合對(duì)超高長(zhǎng)徑比的孔徑結(jié)構(gòu)等3D結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)均勻薄膜覆蓋，可實(shí)現(xiàn)對(duì)高達(dá)1500：1長(zhǎng)徑比微納深孔內(nèi)部的均勻沉積。

GEMStar XT 產(chǎn)品點(diǎn)：

l 300℃ 鋁合金熱壁，對(duì)流式溫度控制

l 175℃溫控150ml前驅(qū)體瓶，200℃溫控輸運(yùn)支管

l 可容納多片4，6，8英寸樣品同時(shí)沉積

l 可容納1.25英寸/32mm厚度的基體

l 標(biāo)準(zhǔn)CF-40接口

l 可安裝原位測(cè)量或粉末沉積模塊等選件

l 等離子體輔助ALD插件

l 多種配件可供選擇

GEMStar XT 產(chǎn)品型號(hào)：

GEMStar -4 XT：

l zui大4英寸/100 mm基片沉積

l 單路前驅(qū)體輸運(yùn)支管， 4路前驅(qū)體瓶接口

l 不可升為等離子體增強(qiáng)ALD

GEMStar -6/8 XT：

l zui大6英寸(150mm)/8英寸(200mm)基片沉積

l 雙路前驅(qū)體輸運(yùn)支管， 8路前驅(qū)體瓶和CF-40接口

l 可升為等離子體增強(qiáng)ALD

三維原子層沉積系統(tǒng)ALD點(diǎn)

GEMStar -8 XT-P：

l zui大8英寸/200mm基片沉積

l 雙路前驅(qū)體輸運(yùn)支管， 8路前驅(qū)體瓶和CF-40接口

l 裝備高性能ICP等離子發(fā)生器

13.56 MHz 的等離子源非常緊湊，只需風(fēng)冷，zui高運(yùn)行功率達(dá)300W。

l 標(biāo)配３組氣流質(zhì)量控制計(jì)（MFC）控制的等離子氣源線，和條MFC控制的運(yùn)載氣體線，使難以沉積的氧化物、氮化物、金屬也可以實(shí)現(xiàn)均勻沉積。

豐富配件：

多樣品托盤(pán)：

l 多樣品夾具，樣品尺寸（8", 6", 4"）向下兼容。

l 多基片夾具，zui多同時(shí)容納9片基片。

溫控?zé)嵬斜P(pán)：

l 可加熱樣品托盤(pán)，zui高溫度500℃，可實(shí)現(xiàn)熱盤(pán)-熱壁復(fù)合加熱方式。

尾氣處理系統(tǒng)：

臭氧發(fā)生器：

粉末旋轉(zhuǎn)沉積罐模塊：

配合熱壁加熱方式，進(jìn)步實(shí)現(xiàn)對(duì)微納粉末樣品全保型薄膜均勻沉積包覆。

手套箱接口：

可從側(cè)面或背面*接入手套箱，與從底部接入手套箱不同，不占用手套箱空間。由于主機(jī)在手套箱側(cè)面，反應(yīng)過(guò)程中不對(duì)手套箱有加熱效應(yīng)，不影響手套箱內(nèi)溫度。

國(guó)內(nèi)外用戶(hù)

已發(fā)表文獻(xiàn)

1、 Lo?c Assaud et al. Systematic increase of electrocatalytic turnover over nanoporous Pt surfaces Prepared by atomic layer deposition. J. Mater. Chem. A (2015) DOI: 10.1039/c5ta00205b

2、 Xiangyi Luo et al. Pd nanoparticles on ZnO-passivated porous carbon by atomic layer deposition: an effective electrochemical catalyst for Li-O2 battery. Nanotechnology(2015) 26, 164003. DOI:10.1088/0957-4484/26/16/164003

3、 HengweiWang, et al. Precisely-controlled synthesis of Au@Pd core–shell bimetallic catalyst via atomic layer deposition for selective oxidation of benzyl alcohol. Journal of Catalysis (2015) 324, 59–68. DOI: 10.1016/j.jcat.2015.01.019

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7、 Jin Xie, et al. Site-Selective Deposition of Twinned Platinum Nanoparticles on TiSi2 Nanonets by Atomic Layer Deposition and Their Oxygen Reduction Activities. ACS Nano (2013), 7, 6337–6345. DOI: 10.1021/nn402385f

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10、 Thomas M et al. Extended lifetime MCP-PMTs: Characterization and lifetime measurements of ALD coated microchannel plates, in a sealed photomultiplier tube Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A (2013) 732, 388–391. DOI: 10.1016/j.nima.2013.07.023

11、 Kevin J. Maloney et al. Microlattices as architected thin films: Analysis of mechanical properties and high strain elastic recovery. APL Mater. 1, 022106 (2013) DOI: 10.1063/1.4818168

12、 Sean W. Smith et al. Improved Temperature Stability of Atomic Layer Deposition Coated Cellulose Nanocrystal Aerogels. Mater. Res. Soc. Symp. Proc. (2012) DOI: 10.1557/opl.2012.

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